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Leistungshalbleiter-ICs

SiC, GaN und Si in der Elektromobilität

Verdrängung oder Koexistenz?

Werden Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter Silizium-basierte Halbleiter wie IGBTs oder Si-MOSFETs komplett verdrängen? Welche Vorteile haben die jeweiligen Halbleitertechnologien und wie sehen mögliche Zukunftsszenarien für ein Zusammenleben von SiC-, GaN- und Silizium-Technologien im Auto aus?

SiC-Transistoren

Verbesserte Effizienz von PV-Heimspeichersystemen

Eine der Herausforderungen bei Heimspeichersystemen besteht darin, dass die Batterien...

Sperrwandler-Schalter-IC

Ein Notschalter für die E-Mobility

Auf Anwendungen im Bereich der Elektromobilität ist der AEC-Q100-qualifizierte...

Rohm baut Engagement im SiC-Bereich aus

Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies

Rohm Semiconductor ist eine Entwicklungspartnerschaft mit Vitesco Technologies...

Power Integrations / Elektromobilität

InnoSwitch3-AQ arbeitet von 30 V bis 550 V

Die Ansteuerung für die Hochleistungsumrichter in Elektroautos speist sich aus der...

Heraeus

Kupfer-Bondbändchen für SiC-Module

Die neuen Kupfer-Bondbändchen von Heraeus ermöglichen es, Leistungsmodule...

DFN- und SOT-Packages im Vergleich

Welchen Einfluss hat das Chip-Package auf die Wärmeableitung?

Der Vergleich von Chip-Packages ohne Anschlussbeinchen (dafür mit Heatsink) und den...

"CoolSiC" makes it possible

400 kW station charges electric cars in 10 minutes

Ingeteam's new 400 kW charging station uses Infineon's "CoolSiC" MOSFETS to charge...

»CoolSiC« macht´s möglich

400-kW-Station lädt E-Autos in 10 Minuten

Die neue 400-kW-Ladestation von Ingeteam nutzt die »CoolSiC«-MOSFETS von Infineon, um...

Fraunhofer IAF

GaN-on-Si Half-Bridge for 600 V Embedded Into a PCB

Researchers at the Fraunhofer IAF have integrated their monolithically integrated GaN...